[发明专利]薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件及其制造方法、以及有机EL显示装置有效

专利信息
申请号: 201180070586.3 申请日: 2011-06-21
公开(公告)号: CN103503124A 公开(公告)日: 2014-01-08
发明(设计)人: 奥本有子;宫本明人;受田高明 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/02;H05B33/10
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 徐健;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件及其制造方法、以及有机EL显示装置。在TFT基板中,在基板(1011)上形成栅电极(1012a、1012b),其上被绝缘层(1013)覆盖。在绝缘层(1013)上以在Y轴方向上相互隔开间隔的状态形成有源电极(1014a、1014b)、漏电极(1014c、1014d)、连接布线(1015)。连接布线(1015)与漏电极(1012a)连接。在绝缘层(1013)上形成开有开口部(1016a~1016c)的隔壁(1016)以使得电极(1014a~1014d、1015)的各一部分露出。隔壁(1016)的面对开口部(1016b、1016c)的侧面部为斜面,侧面部(1016e、1016f)以与其他侧面部(1016d、1016g、1016h~1016k)相比缓和的倾斜形成。
搜索关键词: 薄膜晶体管 元件 及其 制造 方法 有机 el 显示 以及 显示装置
【主权项】:
一种薄膜晶体管元件,具备:栅电极;源电极及漏电极,其层叠形成在所述栅电极的上方,在与层叠方向交叉的方向上相互隔开间隔而排列设置;绝缘层,其介插在所述栅电极与所述源电极及所述漏电极之间;隔壁,其设置成围绕所述源电极及所述漏电极各自的至少一部分,并且,表面具有拨液性;以及有机半导体层,其在由所述隔壁的围绕构成的第1开口部的内部,形成在所述源电极与所述漏电极之间的间隙、以及所述源电极及所述漏电极之上,与所述源电极及所述漏电极紧密接触,对于所述隔壁的面对所述第1开口部的侧面部,其一部分为比其他部分倾斜相对缓和的斜面。
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