[发明专利]薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件及其制造方法、以及有机EL显示装置有效
申请号: | 201180070586.3 | 申请日: | 2011-06-21 |
公开(公告)号: | CN103503124A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 奥本有子;宫本明人;受田高明 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/02;H05B33/10 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 徐健;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件及其制造方法、以及有机EL显示装置。在TFT基板中,在基板(1011)上形成栅电极(1012a、1012b),其上被绝缘层(1013)覆盖。在绝缘层(1013)上以在Y轴方向上相互隔开间隔的状态形成有源电极(1014a、1014b)、漏电极(1014c、1014d)、连接布线(1015)。连接布线(1015)与漏电极(1012a)连接。在绝缘层(1013)上形成开有开口部(1016a~1016c)的隔壁(1016)以使得电极(1014a~1014d、1015)的各一部分露出。隔壁(1016)的面对开口部(1016b、1016c)的侧面部为斜面,侧面部(1016e、1016f)以与其他侧面部(1016d、1016g、1016h~1016k)相比缓和的倾斜形成。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 元件 及其 制造 方法 有机 el 显示 以及 显示装置 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管元件,具备:栅电极;源电极及漏电极,其层叠形成在所述栅电极的上方,在与层叠方向交叉的方向上相互隔开间隔而排列设置;绝缘层,其介插在所述栅电极与所述源电极及所述漏电极之间;隔壁,其设置成围绕所述源电极及所述漏电极各自的至少一部分,并且,表面具有拨液性;以及有机半导体层,其在由所述隔壁的围绕构成的第1开口部的内部,形成在所述源电极与所述漏电极之间的间隙、以及所述源电极及所述漏电极之上,与所述源电极及所述漏电极紧密接触,对于所述隔壁的面对所述第1开口部的侧面部,其一部分为比其他部分倾斜相对缓和的斜面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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