[发明专利]具有无规分布的二维结构缺陷的石墨烯材料有效
| 申请号： | 201180070689.X | 申请日： | 2011-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN103534840A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | H·H·孔;X·赵;C·M·海纳;M·C·孔 | 申请（专利权）人： | 西北大学 |
| 主分类号： | H01M4/02 | 分类号： | H01M4/02;H01M10/0525;H01M4/38;B82B3/00;H01M4/04 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;于高瞻 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了用于高功率电池应用的石墨烯基储存材料。所述储存材料由石墨烯片材的竖直叠堆组成，并具有降低的对Li离子传输的抗性。该降低的抗性通过如下方式实现：将无规分布的结构缺陷引入堆叠的石墨烯片材中，由此所述结构缺陷有利于Li离子扩散至储存材料的内部中。 | ||
| 搜索关键词： | 有无 分布 二维 结构 缺陷 石墨 材料 | ||
【主权项】：
一种石墨烯基材料，其包括设置于竖直叠堆中的多个石墨烯片材，其中在所述竖直叠堆内的石墨烯片材包含由面内碳空缺形成的无规分布的缺陷孔。
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