[发明专利]半导体装置

摘要

在晶体管区域中设置有绝缘栅型双极晶体管，该绝缘栅型双极晶体管具有栅极电极（7）和发射极电极（9）。在晶体管区域的周围配置有末端区域。在晶体管区域中，在N型漂移层（1）的下方设置有第1N型缓冲层（18）。在第1N型缓冲层（18）的下方设置有P型集电极层（19）。在末端区域中，在N型漂移层（1）的下方设置有第2N型缓冲层（20）。P型集电极层（19）和第2N型缓冲层（20）与集电极电极（21）直接连接。越接近集电极电极（21），第2N型缓冲层（20）的杂质浓度越小。第2N型缓冲层（20）与集电极电极（21）不构成欧姆接触。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具有：晶体管区域，在该晶体管区域中设置有绝缘栅型双极晶体管，该绝缘栅型双极晶体管具有栅极电极和发射极电极；以及末端区域，其配置在所述晶体管区域的周围，在所述晶体管区域中，在N型漂移层的下方设置第1N型缓冲层，在所述第1N型缓冲层的下方设置P型集电极层，在所述末端区域中，在所述N型漂移层的下方设置第2N型缓冲层，所述P型集电极层和所述第2N型缓冲层与集电极电极直接连接，越接近所述集电极电极，所述第2N型缓冲层的杂质浓度越小，所述第2N型缓冲层与所述集电极电极不构成欧姆接触。