[发明专利]氮化物半导体紫外线发光元件有效
| 申请号： | 201180072697.8 | 申请日： | 2011-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN103733449A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 西瑞尔·佩诺特;平野光 | 申请（专利权）人： | 创光科学株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王亚爱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 氮化物半导体紫外线发光元件，具备：基底结构部，包含蓝宝石(0001)基板、和形成在所述基板上的A1N层；以及发光元件结构部，形成在所述基底结构部上，且包含n型A1GaN系半导体层的n型包覆层、具有A1GaN系半导体层的活性层、和p型A1GaN系半导体层的p型包覆层，所述基板的(0001)面以0.6°以上且3.0°以下的偏离角发生倾斜，所述n型包覆层的A1N摩尔分数为50％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 紫外线 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体紫外线发光元件，其特征在于，具备：基底结构部，包含蓝宝石(0001)基板、和形成在所述基板的(0001)面上的A1N层；以及发光元件结构部，形成在所述基底结构部的结晶表面上，且包含n型A1GaN系半导体层的n型包覆层、具有A1GaN系半导体层的活性层、和p型A1GaN系半导体层的p型包覆层，所述基板的(0001)面以0.6°以上且3.0°以下的偏离角发生倾斜，所述n型包覆层的A1N摩尔分数为50％以上。
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