[发明专利]高可靠性高速忆阻器

摘要

忆阻器具有第一电极、平行于第一电极的第二电极以及布置在第一电极和第二电极之间的切换层。切换层包含传导沟道和储蓄器区。传导沟道带有具有可变的移动离子浓度的费米玻璃材料。储蓄器区相对于传导沟道横向地布置，并对传导沟道充当移动离子的源/吸收体。在切换操作中，在电场和热效应的协作驱动力下，移动离子移动进或出横向布置的储蓄器区以改变传导沟道中的移动离子的浓度，从而改变费米玻璃材料的传导率。

主权项

一种忆阻器，包括：第一电极；第二电极，其平行于所述第一电极；以及切换层，其布置在所述第一电极和所述第二电极之间，并包含传导沟道和储蓄器区，所述传导沟道具有费米玻璃材料，所述费米玻璃材料具有可变的移动离子的浓度，所述储蓄器区相对于所述传导沟道横向地布置，并在切换操作期间对所述传导沟道充当移动离子的源/吸收体，其中所述移动离子移动到所述横向布置的储蓄器区内或者从所述横向布置的储蓄器区移动出来，以改变所述传导沟道中的所述移动离子的浓度，从而改变所述费米玻璃材料的传导率。