[发明专利]结晶材料的真空储存方法及装置在审
| 申请号： | 201180072961.8 | 申请日： | 2011-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN103781950A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 堀冈佑吉;梶原治郎;真田浩嗣 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料技术株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;B22F1/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 日本东京都千代*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于单晶硅生长的过程中的炉内碳零件的劣化的防止、生长结晶中的碳浓度降低、以及单晶的多晶化比例的改善。再者，系为解决炉开放时，水分会吸附于炉内零件、烧结金属材料、或半导体结晶原料所致的炉的随时间变化或结晶的差排等问题。本发明的技术手段系包含真空抽取步骤，将填充有烧结金属的原料的模板，或是填充有砷化镓结晶以及用以进行半导体结晶生长的原料的坩埚的开口，以设有供应管及真空排气管的盖子予以闭合，该半导体结晶生长系为单晶硅或多晶硅的半导体结晶生长，且藉由该真空排气管将该模板或该坩埚的内部真空抽取成为10-4托尔以下的高真空状态；以及升温干燥步骤，藉由该供应管将50℃以上且200℃以下的高温惰性气体填充于该模板或该坩埚的内部，使该原料升温并干燥，其中该原料系储存于为该盖子所覆盖的状态的该模板或该坩埚的内部。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 材料 真空 储存 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种原料的储存方法，其特征在于，包含：真空抽取步骤，将填充有烧结金属的原料的模板，或是填充有砷化镓结晶以及用以进行半导体结晶生长的的原料的坩埚的开口，以设有供应管及真空排气管的盖子予以闭合，该半导体结晶生长系为单晶硅或多晶硅的半导体结晶生长，且藉由该真空排气管将该模板或该坩埚的内部真空抽取成为10‑4托尔以下的高真空状态；以及升温干燥步骤，藉由该供应管将50℃以上且200℃以下的高温惰性气体填充于该模板或该坩埚的内部，使该原料升温并干燥，其中该原料系储存于为该盖子所覆盖的状态的该模板或该坩埚的内部。
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