[发明专利]半导体装置

摘要

在半导体装置（SD）中，在下部电极（LEL）上介有电介体膜（DEC），而形成有平板状的上部电极（UEL）。由下部电极（LEL）、电介体膜（DEC）以及上部电极（UEL）构成MIM电容器（MCA）。在其之间不介有保护环，且都隔开相同的间隔（D1）配置有相互相邻的一个上部电极（UEL）和其他上部电极（UEL）。隔开与间隔（D1）相同的间隔配置有位于最外周的上部电极（UEL）与位于其外侧的保护环（GR）。

主权项

一种半导体装置，其特征在于包括：半导体基板，具有主表面；多个MIM电容器MCA，配置于所述半导体基板的所述主表面侧的规定的区域中，分别包括下部电极LEL、电介体膜DEC以及上部电极UEL；以及保护环GR，配置成包围多个所述MIM电容器MCA的整体，在多个所述MIM电容器MCA中，在一个MIM电容器MCA与其他MIM电容器MCA之间，不介有所述保护环GR，隔开规定的间隔D1配置相互相邻的所述一个MIM电容器MCA和所述其他MIM电容器MCA，在所配置的多个所述MIM电容器MCA中的、位于最外侧的MIM电容器MCA的外侧，隔开与所述规定的间隔D1相同的间隔配置了所述保护环GR。