[发明专利]具有纳米结构化层的太阳能电池及制造和使用方法无效
| 申请号： | 201180073276.7 | 申请日： | 2011-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN103890964A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | V.K.斯米尔诺夫;D.S.基巴洛夫 | 申请（专利权）人： | 沃斯特克公司 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/18;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 胡莉莉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 太阳能电池包括基底和形成于基底上的纳米结构化层。纳米结构化层具有与基底相对的纳米结构化表面。纳米结构化表面具有带有有序波结构图案的伸长脊状元件的准周期性的各向异性阵列，每个脊状元件具有波状截面并且取向基本上在第一方向。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 结构 太阳能电池 制造 使用方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，包括： 基底；以及 形成于基底上的纳米结构化层，其中，该层包括与基底相对的纳米结构化表面，该纳米结构化表面包括具有有序波结构图案的伸长脊状元件的准周期性的各向异性阵列，每个脊状元件具有波状截面且取向基本上在第一方向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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