[发明专利]光半导体元件、其控制方法及其制造方法有效
| 申请号： | 201180073700.8 | 申请日： | 2011-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN103827737A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 秋山知之 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供光半导体元件、其控制方法及其制造方法。在光半导体元件中设置有：环形调制器；和光吸收材料（9），其被设置在与对环形调制器进行导波的被调制光的路径相分离的位置，吸收从环形调制器的环形波导路径（3）漏出的光，使环形波导路径（3）的温度上升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 控制 方法 及其 制造 | ||
【主权项】：
一种光半导体元件，其特征在于，具有：环形调制器；和光吸收材料，其被设置在与对所述环形调制器进行导波的被调制光的路径相分离的位置，吸收从所述环形调制器的环形波导路径漏出的光，使所述环形波导路径的温度上升。
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