[发明专利]在耦合与解耦状态之间切换的电感器有效
| 申请号： | 201180073775.6 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103827765A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | X.梁 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G05F1/325 | 分类号： | G05F1/325;H01F21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马红梅;马永利 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种设备包括与第二芯间隔开的第一芯。第二芯具有有着第一绕组的第一区段、有着第二绕组的第二区段以及在第一和第二区段之间的第三区段。在第一芯与第二芯的第三区段之间包括至少一个填充物。设备的操作状态基于通过填充物的磁通量的量而改变。当通量处于不饱和水平时，第一和第二绕组作为解耦电感器进行操作。当通量处于饱和水平时，第一和第二绕组作为耦合电感器进行操作。可基于通过所述绕组中的一个或多个绕组的电流的大小和/或填充物材料的磁导率来确定通过填充物的磁通量的量。 | ||
| 搜索关键词： | 耦合 状态 之间 切换 电感器 | ||
【主权项】：
一种设备，包括：第一芯；第二芯，邻近于第一芯，且具有：a）第一区段，其包括第一绕组，b）第二区段，其与第一芯间隔开，c）第三区段，其包括第二绕组，以及具有磁导率的填充物，其中，所述第二区段在第二芯的第一和第三区段之间，并且其中，所述填充物位于第一芯与第二芯的第二区段之间的间隙中。
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