[发明专利]基于异质结氧化物的忆阻元件

摘要

提供了包括设置在第一电极和第二电极之间的活性区的忆阻元件。活性区包括第一金属氧化物的转换层和第二金属氧化物的导电层，其中第一金属氧化物的金属离子不同于第二氧化物的金属离子。忆阻元件基于在第一金属氧化物和第二金属氧化物之间的氧化物异质结而在低电阻状态下展示出非线性电流-电压特性。还提供了包括忆阻元件的多层结构。

主权项

一种忆阻元件，包括：具有纳米级宽度的第一电极；具有纳米级宽度的第二电极；以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间并与所述第一电极和所述第二电极电接触的活性区，所述活性区具有第一金属氧化物的转换层和第二金属氧化物的导电层，其中所述第一金属氧化物的金属离子不同于所述第二金属氧化物的金属离子，其中所述第一金属氧化物和所述第二金属氧化物是Al、Si、Ga、Ge、Sr、Ba、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、La、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、以及Pt中的至少一种的氧化物；并且其中所述忆阻元件基于在所述第一金属氧化物和所述第二金属氧化物之间的氧化物异质结而在低电阻状态下展示出非线性电流‑电压特性。