[发明专利]光电转换元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201180074244.9 | 申请日： | 2011-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN103890989B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 百濑悟 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 金世煜,苗堃 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的光电转换元件具备阳极（2）、阴极（5）、光电转换层（4）和设于阳极与光电转换层之间的含有MoO3的缓冲层（3），上述光电转换层（4）含有聚‑[N‑9”‑十七烷基‑2,7‑咔唑‑交替‑5,5‑（4’,7’‑二‑2‑噻吩基2’,1’,3’‑苯并噻二唑）]作为p型有机半导体材料且含有富勒烯或富勒烯衍生物作为n型有机半导体材料，光电转换层的与缓冲层相接的区域中的p型有机半导体材料的比率高于光电转换层整体中的p型有机半导体材料的比率，且光电转换层的比与缓冲层相接的区域更靠近阴极侧的区域中的p型有机半导体材料的比率低于光电转换层整体中的p型有机半导体材料的比率。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电转换元件，其特征在于，具备：阳极，阴极，光电转换层，含有聚‑[N‑9”‑十七烷基‑2,7‑咔唑‑交替‑5,5‑(4’,7’‑二‑2‑噻吩基2’,1’,3’‑苯并噻二唑)]作为p型有机半导体材料且含有富勒烯或富勒烯衍生物作为n型有机半导体材料，和缓冲层，设于所述阳极与所述光电转换层之间并含有MoO3，在光电转换层的全部区域，形成p型有机半导体材料与n型有机半导体材料混合的状态，所述光电转换层的与所述缓冲层相接的区域中的所述p型有机半导体材料的比率高于所述光电转换层整体中的所述p型有机半导体材料的比率，且所述光电转换层的比与所述缓冲层相接的区域更靠近所述阴极侧的区域中的所述p型有机半导体材料的比率低于所述光电转换层整体中的所述p型有机半导体材料的比率。
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