[发明专利]多管芯封装结构有效
| 申请号： | 201180074549.X | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104025285B | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | W·H·泰赫;J·S·古扎克;S·钟 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L25/18;H01L23/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 何焜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了一种用于封装集成电路芯片的封装组件和方法。所公开的封装组件具有隔离件和包括IC芯片的凹陷区域。提供能够实现例如三维(3D)封装(或封装(SiP)或多芯片模块中的系统)、片上系统3D封装、以及混合3D结合的体系结构。本发明的实施例可用于例如产生逻辑到存储器、存储器到存储器、以及逻辑到逻辑接口堆叠组件。 | ||
| 搜索关键词： | 管芯 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：封装衬底，所述封装衬底具有表面，其中所述表面具有形成在其中的凹槽，第一集成电路管芯，所述第一集成电路管芯设置在所述封装衬底的凹槽中，其中所述第一集成电路管芯具有表面，隔离件层，所述隔离件层设置在所述第一集成电路管芯的表面上，其中，所述隔离件层具有邻近第一集成电路管芯的第一表面和与第一表面相对的第二表面，以及第二集成电路管芯，所述第二集成电路管芯接合至所述封装衬底的表面和所述隔离件层的第二表面。
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