[发明专利]蚀刻停止层和电容器有效
| 申请号： | 201180074601.1 | 申请日： | 2011-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN103907177A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | R·A·布雷恩 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/768;H01L21/28;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 韩宏;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了集成电路设备的电容器结构。电容器包括紧邻的致密或高度致密蚀刻停止层。致密或高度致密蚀刻停止层是例如高k材料。电容器是例如金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，且在DRAM(动态随机存取存储器)和eDRAM(嵌入式动态随机存取存储器)结构中是有用的。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 停止 电容器 | ||
【主权项】：
一种半导体设备，包括：衬底，其具有设置在衬底表面上的至少一个介电层，所述介电层，其具有第一介电蚀刻停止层和设置在所述第一介电蚀刻停止层上的第二蚀刻停止层，其中所述第二蚀刻停止层的密度大于所述第一蚀刻停止层的密度，且大于3g/cm3，阱，其穿过所述第一蚀刻停止层和所述第二蚀刻停止层并在所述至少一个介电层中形成，其中所述阱包括侧壁和底部，且第一导电材料层设置在所述阱的所述侧壁和所述底部上，绝缘层设置在所述第一导电材料层上，并且第二导电材料层设置在所述第一导电材料层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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