[发明专利]功率器件封装结构及封装工艺有效
| 申请号： | 201180074628.0 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN104011855A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;吴步龙;罗小兵;徐玲;周洋;张阳;吴林 | 申请（专利权）人： | 武汉飞恩微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/473 | 分类号： | H01L23/473;H01L23/427;H01L23/495;H01L23/498 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 李平 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供一种功率器件封装结构及封装工艺，该封装结构包括预置微通道的基板或直接模塑的微通道管、绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片、二极管芯片、贴装垫片(104)外壳(110)，其特征在于IGBT芯片、二极管芯片贴装在贴装垫片(104)上表面，二极管芯片与IGBT芯片经导电胶(118)、贴装垫片(104)及导线实现电连接，二极管芯片、IGBT芯片及所有的连接被密封进外壳(110)中，导线延伸到外壳(110)外部以实现和外部电路之间的连接。该封装结构能够通过微通道中的液体循环冷却传导热量，界面热阻小，维护简单，同时通过除去液冷板或者热沉极大的降低了功率封装的体积，进而降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 封装 结构 工艺 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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