[发明专利]硒化镉多足纳米晶体的制备方法有效
| 申请号： | 201180074686.3 | 申请日： | 2011-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103998656A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 钟新华;张文进 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | C30B13/00 | 分类号： | C30B13/00;C30B19/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈文平;马慧 |
| 地址： | 200237 中*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了非热注射合成半导体纳米晶体的方法。例如，多足硒化镉纳米晶体可以通过包括以下的方法制备：将经脱气的在非配位溶剂中的包含氧化镉、硒、三辛基膦和羧酸的混合物从室温左右加热到约210℃，其中所述多足硒化镉纳米晶体可以是四足硒化镉纳米晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 硒化镉多足 纳米 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
制备半导体纳米晶体的方法，所述方法包括：将非配位溶剂中的包含第一无机化合物、第二无机化合物、配体和羧酸的混合物在约20℃至约120℃的温度下进行脱气，其中所述第一无机化合物包含第II周期至第VI周期的元素并且所述第二无机化合物包含第IV周期至第VI周期的元素；以及加热所述混合物以将所述混合物的温度从脱气温度提高到约160℃至约300℃的温度以制备半导体纳米晶体。
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