[发明专利]封装上受控的管芯上焊料集成及其装配方法有效
| 申请号： | 201180074841.1 | 申请日： | 2011-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103946965B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | W.H.特;S.钟 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红;汤春龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种使管芯背侧凸起的工艺包括在管芯背侧膜(DBF)中开凹槽以显露管芯中的硅通孔(TSV)接触，之后用接触TSV接触的传导材料填充凹槽。加焊耦合到在DBF的层次的传导材料。后续管芯耦合到在加焊的第一管芯以形成由TSV接触、传导材料、加焊、耦合到所述后续管芯的电凸起组成的电耦合。使用工艺来装配设备和计算机系统。 | ||
| 搜索关键词： | 装上 受控 管芯 焊料 集成 及其 装配 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使管芯背侧凸起的工艺，包括：在管芯背侧膜DBF中开凹槽以显露管芯中的硅通孔TSV接触，所述管芯包括有源表面和背侧表面；用接触所述TSV接触的传导材料填充所述凹槽；以及在所述DBF的层次形成到所述传导材料的加焊，其中所述DBF具有第一厚度，所述工艺还包括：去除所述DBF；以及进行底部填充材料的底部填充以接触所述传导材料和所述加焊的至少之一。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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