[发明专利]用于在公共存储器通道上实现多级存储器层级的设备和方法有效

专利信息
申请号: 201180075093.9 申请日: 2011-09-30
公开(公告)号: CN103946826B 公开(公告)日: 2019-05-31
发明(设计)人: R.K.拉马努简;D.齐亚卡斯;D.J.齐默曼;M.J.库马;M.P.斯瓦米纳桑;B.N.库里 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G06F13/14 分类号: G06F13/14;G06F12/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 柯广华;汤春龙
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 描述一种用于集成包含计算机系统内非易失性存储器层的存储器和存储装置层级的系统和方法。在一个实施例中,PCMS存储器装置被用作层级中的一层,有时被称为“远存储器”。较高性能存储器装置(诸如DRAM)放在远存储器前面,并且用于掩蔽远存储器的一些性能限制。这些较高性能存储器装置被称为“近存储器”。
搜索关键词: 用于 公共 存储器 通道 实现 多级 层级 设备 方法
【主权项】:
1.一种计算机系统,包括:处理器,所述处理器具有多个用于执行指令并处理数据的核以及一个或多个用于根据第一高速缓存管理策略来高速缓存指令和数据的处理器高速缓存;第一存储器通道,其包括耦合到所述处理器的第一组地址/控制和数据线路;第二存储器通道,其包括耦合到所述处理器的第二组地址/控制和数据线路;第一级第一存储器和第一级第二存储器,各具有与之关联的第一组特性,第一组特性包含第一读访问速度和第一写访问速度,第一级第一存储器耦合到第一存储器通道,并且第一级第二存储器耦合到第二存储器通道;以及第二级第一存储器以通信方式耦合到第一存储器通道,并且第二级第二存储器以通信方式耦合到第二存储器通道,第二级第一存储器和第二级第二存储器具有与之关联的第二组特性,第二组特性包含第二读访问速度和第二写访问速度,第二读访问速度和第二写访问速度中的至少一个分别与第一读访问速度或第一写访问速度相比比较低,是非易失性的,使得如果电源被移除则第二级第一存储器和第二级第二存储器保存内容,其中第一级第一存储器的至少一部分被配置为用于存储在第二级第一存储器中的指令和数据的高速缓存,并且第一级第二存储器的至少一部分被配置为用于存储在第二级第二存储器中的指令和数据的高速缓存。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180075093.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top