[发明专利]用于非平面晶体管的夹层电介质有效
| 申请号： | 201180075347.7 | 申请日： | 2011-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103975424A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | S·普拉丹;J·卢斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/31 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及在非平面晶体管中形成第一级夹层电介质材料层，其可以借助旋涂技术，之后借助氧化和退火来形成。第一级夹层电介质材料层可以基本上没有空隙，并可以对非平面晶体管的源极/漏极区施加拉伸应变。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 平面 晶体管 夹层 电介质 | ||
【主权项】：
一种制造微电子晶体管的方法，包括：形成晶体管栅极，所述晶体管栅极包括邻近衬底的栅极电极和位于所述栅极电极的相对侧上的一对栅极隔离物；形成源极/漏极区；邻近所述源极/漏极区并邻近至少一个栅极隔离物形成第一夹层电介质材料层；氧化所述第一夹层电介质材料层；以及对所述第一夹层电介质材料层进行退火。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180075347.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
