[发明专利]氮化铝单晶基板及其制造方法在审
| 申请号： | 201180075372.5 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN103975098A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 纐缬明伯;熊谷义直;永岛彻;平连有纪 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东京农工大学;株式会社德山 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B25/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 刘宗杰;巩克栋 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化铝单晶，其特征在于，碳的浓度为1×1014atoms/cm3以上且小于3×1017atoms/cm3，氯的浓度为1×1014～1×1017atoms/cm3，波长265nm下的吸收系数为40cm－1以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 铝单晶基板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化铝单晶，其特征在于，碳的浓度为1×1014atoms/cm3以上且小于3×1017atoms/cm3，氯的浓度为1×1014～1×1017atoms/cm3，波长265nm下的吸收系数为40cm－1以下。
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