[发明专利]克服叠层电容器中的偏差有效
| 申请号： | 201180075513.3 | 申请日： | 2011-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103988270B | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | E·C·汉娜;C·L·平特;C·W·霍尔茨瓦特;J·L·古斯塔夫松 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01G4/005 | 分类号： | H01G4/005;H01G4/30 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 王英,陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在本发明的一个实施例中，说明了一种形成储能设备的方法，其中，在电化学蚀刻浴中电化学蚀刻导电衬底的多孔结构的同时原位测量导电衬底的多孔结构，直到获得预定值为止，此时可以从电化学蚀刻浴中移出导电衬底。在另一个实施例中，说明了一种形成储能设备的方法，其中，测量导电多孔结构以确定导电多孔结构的储能容量。随后减小导电多孔结构的储能容量，直到获得预定储能容量值为止。 | ||
| 搜索关键词： | 克服 电容器 中的 偏差 | ||
【主权项】：
一种形成储能设备的方法，包括：将导电衬底浸入到电化学蚀刻浴中，以通过蚀刻所述导电衬底来形成所述导电衬底的多孔结构；在对浸入到所述电化学蚀刻浴中的所述导电衬底进行电化学蚀刻的同时原位测量所述导电衬底的所述多孔结构；以及在获得预定储能容量值之后，从所述电化学蚀刻浴中移出所述导电衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180075513.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
