[发明专利]通过部分熔化升高的源极-漏极的晶体管的脉冲激光退火工艺有效
| 申请号： | 201180075630.X | 申请日： | 2011-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103999199B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | J·詹森;T·加尼;M·刘;H·肯内尔;R·詹姆斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/268 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种包括部分熔化的提高半导体源极/漏极的非平面晶体管，所述提高半导体源极/漏极被设置在半导体鳍状物的相对端上，其中，栅极堆叠设置于所述相对端之间。所述的升高的半导体源极/漏极包括处于熔化深度以上的超活化掺杂剂区以及处于熔化深度以下的活化掺杂剂区。超活化掺杂剂区具有比活化掺杂剂区更高的活化掺杂剂浓度和/或具有在整个熔化区域内恒定的活化掺杂剂浓度。在衬底上形成鳍状物，并且在所述鳍状物的设置在沟道区的相对侧的区域上沉积半导体材料或半导体材料堆叠，以形成升高的源极/漏极。执行脉冲激光退火，以仅熔化所沉积的半导体材料的处于熔化深度以上的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 部分 熔化 升高 晶体管 脉冲 激光 退火 工艺 | ||
【主权项】：
一种形成非平面晶体管的方法，所述方法包括：在衬底上形成包括沟道区的半导体鳍状物；在所述鳍状物的设置于所述沟道区的相对侧的区域上沉积半导体材料，以形成升高的源极/漏极；以及执行脉冲激光退火，以仅熔化所沉积的半导体材料的在熔化深度以上的部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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