[发明专利]用于相变存储器漂移管理的设备和方法有效
| 申请号： | 201180075637.1 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103999161A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | R.K.拉马努詹;M.A.施米斯塞尤 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C13/02 | 分类号： | G11C13/02;G06F12/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红;汤春龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了用于选择用于读和写操作的分界电压的系统和方法。本发明实施例提供了使用多个VDM覆盖PCMS小区的上电漂移不同于断电漂移的情况的方案。控制器通过跟踪刷新和写来自动管理这个。此外，本发明的实施例提供了通过哈希表或类似方案跟踪最近写地址而降低写之后的惩罚框的性能影响的高效方案。作为示例，根据一个实施例的方法包括：检测指向PCMS存储器的第一块的读操作；确定在读操作之前的规定时间量内先前是否已经发生了对第一块的写操作；如果在写操作之前的规定时间量内先前已经发生了对第一块的写操作，则使用用于读操作的第一分界电压(VDM)；并且如果在写操作或刷新操作之前的规定时间量内先前尚未发生对第一块的写操作，则使用用于读操作的第二VDM。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 漂移 管理 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种计算机实现的方法，包括：检测指向PCMS存储器的第一块的读操作；确定在所述读操作之前的规定时间量内先前是否已经发生了对所述第一块的写操作；如果在所述写操作之前的所述规定时间量内先前已经发生了对所述第一块的所述写操作，则使用第一分界电压(VDM)用于所述读操作；以及如果在所述写操作或刷新操作之前的所述规定时间量内先前尚未发生对所述第一块的所述写操作，则使用第二VDM用于所述读操作。
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