[发明专利]将储能器件集成到衬底上以用于微电子和移动设备有效
| 申请号： | 201180075699.2 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103988271B | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | D.S.加纳;C.L.平特;C.W.霍尔斯瓦特;金薇;陈朝晖;J.L.古斯塔夫森 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01G4/005 | 分类号： | H01G4/005 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 杨美灵,汤春龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在本发明的一个实施例中，描述一种储能器件，其包括一对导电多孔机构，其中该导电多孔结构中每一个包含装填到多个细孔中的电解质。固态或半固态电解质层将此对导电多孔结构分隔，并渗透此对导电多孔结构的多个细孔。在本发明的实施例中，在衬底上形成导电多孔结构，其中导电多孔结构包含多个细孔。然后将电解质装填到多个细孔中，并在导电多孔结构上方形成电解质层。在一个实施例中，电解质层渗透导电多孔结构的多个细孔。 | ||
| 搜索关键词： | 将储能 器件 集成 衬底 用于 微电子 移动 设备 | ||
【主权项】：
一种储能器件，其包括：一对多孔半导体结构，每个多孔半导体结构包含装填到多个细孔中的电解质；以及固态或半固态电解质层，所述固态或半固态电解质层将所述一对多孔半导体结构分隔，并渗透所述一对多孔半导体结构。
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