[发明专利]具有穿模的第一级互连的3D集成电路封装件在审
| 申请号： | 201180075749.7 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN103988300A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | D.马利克;R.L.桑克曼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;汤春龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了具有穿模的第一级互连的3D集成电路封装件以及形成这样的封装件的方法。例如，半导体封装件包含衬底。底部半导体管芯具有活动侧，该活动侧具有表面区域。底部半导体管芯利用远离衬底的活动侧而耦合到衬底。顶部半导体管芯具有活动侧，该活动侧具有大于底部半导体管芯的表面区域的表面区域。顶部半导体管芯利用接近衬底的活动侧而耦合到衬底。底部半导体管芯的活动侧面对并且传导地耦合到顶部半导体管芯的活动侧。顶部半导体管芯通过绕过底部半导体管芯的第一级互连而传导地耦合到衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 一级 互连 集成电路 封装 | ||
【主权项】：
一种半导体封装件，包括：衬底；底部半导体管芯，具有活动侧，该活动侧具有表面区域，所述底部半导体管芯利用远离所述衬底的活动侧而耦合到所述衬底；以及顶部半导体管芯，具有活动侧，该活动侧具有大于所述底部半导体管芯的表面区域的表面区域，所述顶部半导体管芯利用接近所述衬底的活动侧而耦合到所述衬底，其中所述底部半导体管芯的活动侧面对并且传导地耦合到所述顶部半导体管芯的活动侧，并且其中所述顶部半导体管芯通过绕过所述底部半导体管芯的第一级互连而传导地耦合到所述衬底。
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