[发明专利]用于堆叠存储器架构的自修复逻辑在审
| 申请号： | 201180075840.9 | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN103999162A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | J-S.杨;D.科布拉;L.居;D.齐默曼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G11C29/42;H01L23/48;G11C5/02;G11C5/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红;汤春龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文描述了用于堆叠存储器架构的自修复逻辑。存储装置的一个实施例包括存储器堆叠和与存储器堆叠耦合的系统元件，存储器堆叠具有包括第一存储器管芯元件的一个或多个存储器管芯元件。第一存储器管芯元件包括多个硅通孔（TSV）和自修复逻辑，TSV包括数据TSV和一个或多个备用TSV，自修复逻辑用于修复多个数据TSV的有缺陷TSV的操作，对有缺陷TSV的操作的修复包括利用一个或多个备用TSV。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 堆叠 存储器 架构 修复 逻辑 | ||
【主权项】：
一种存储装置，包括：存储器堆叠，所述存储器堆叠具有包括第一存储器管芯元件的一个或多个存储器管芯元件；以及与所述存储器堆叠耦合的系统元件；其中，所述第一存储器管芯元件包括：多个硅通孔（TSV），所述多个TSV包括多个数据TSV和一个或多个备用TSV，以及自修复逻辑，用于修复所述多个数据TSV的有缺陷TSV的操作，对所述有缺陷TSV的操作的修复包括利用所述一个或多个备用TSV。
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