[发明专利]图像拾取装置有效
申请号: | 201180076037.7 | 申请日: | 2011-12-27 |
公开(公告)号: | CN104054176A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 田代和昭;菊池伸 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 罗银燕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 关于图像拾取装置,存在FD电容增大并由此噪声增大的问题。根据本发明的图像拾取装置是其中在半导体基板中布置多个像素的图像拾取装置。所述多个像素中的每一个包含光电转换元件、FD区域、将第一半导体区域中的电荷传送到FD区域的传送栅极、以及其栅极与FD区域电连接的放大晶体管。光电转换元件具有在平面图中具有凹陷部分的外缘,放大晶体管的源极区域和漏极区域位于凹陷部分中,并且在平面图中FD区域被光电转换区域围绕或者位于凹陷部分中。 | ||
搜索关键词: | 图像 拾取 装置 | ||
【主权项】:
一种图像拾取装置,在所述图像拾取装置中在半导体基板中布置多个像素,所述多个像素中的每一个包含:光电转换元件,包含第一导电类型的第一半导体区域和第二导电类型的第二半导体区域,第二半导体区域与第一半导体区域一起构成PN结;第一导电类型的浮置扩散区域;传送栅极,将第一半导体区域中的电荷传送到浮置扩散区域;以及放大晶体管,所述放大晶体管的栅极与浮置扩散区域电连接,其中,第一半导体区域具有在平面图中具有凹陷部分的外缘,其中,放大晶体管的栅极被设置在凹陷部分中,以及其中,在平面图中,浮置扩散区域被第一半导体区域围绕或者位于凹陷部分中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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