[发明专利]非易失性RAM盘有效

专利信息
申请号: 201180076054.0 申请日: 2011-12-29
公开(公告)号: CN104011691A 公开(公告)日: 2014-08-27
发明(设计)人: J.B.克罗斯兰;T.奥普费尔曼;B.芬宁 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G06F13/16;G11C13/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张金金;汤春龙
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 公开方法和系统。在一个实施例中,方法包括在变存储器和开关(PCMS)存储器内若存储器位置以用作随机存取存储器(RAM)盘。创建RAM盘以供在计算机系统中运行的软件应用使用。方法还包括将分配数量的PCMS存储器中的至少一部分映射到软件应用地址空间。最后,方法还授予软件应用对分配数量的PCMS存储器的至少一部分的直接访问。
搜索关键词: 非易失性 ram
【主权项】:
 一种方法,其包括:分配相变存储器和开关(PCMS)存储器内的一定数量的位置以用作随机存取存储器(RAM)盘以供计算机系统中运行的软件应用来使用;将所分配的数量的PCMS存储器中的至少一部分映射到软件应用地址空间;以及授予所述软件应用对所分配的数量的PCMS存储器的至少一部分的直接访问。
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