[发明专利]具有低击穿电压的雪崩光电二极管

摘要

具有低击穿电压特性的Si/Ge SACM雪崩光电二极管（APD）包括具有特定厚度和掺杂浓度的各种层的倍增区域和吸收区域。光波导可以引导红外和/或光信号或能量进入吸收区域。产生的光生载流子被扫入i‑Si层和/或倍增区域用于雪崩倍增。APD具有充分小于12V的击穿偏置电压和大于10GHz的操作带宽，并且因此适合用于消费者电子装置、高速通信网络等中。

主权项

一种雪崩光电二极管APD，包括：衬底；n型掺杂的硅n+ Si层，放置在所述衬底上；本征硅i‑Si层，放置在所述n+ Si层的一部分上；p型掺杂的硅p Si层，放置在所述i‑Si层上；本征锗i‑Ge层，放置在所述p Si层的一部分上；以及p型掺杂的锗p+ Ge层，放置在所述i‑Ge层上，其中所述i‑Si层的厚度在0.07到0.13微米（μm）之间。