[发明专利]平衡垂直磁隧道结中的状态之间的能垒有效
申请号: | 201180076063.X | 申请日: | 2011-12-30 |
公开(公告)号: | CN104011862B | 公开(公告)日: | 2017-07-18 |
发明(设计)人: | C·C·郭;B·S·多伊尔;A·雷什欧迪伊;R·戈利扎德莫亚拉德;K·奥乌兹 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;H01L21/8239 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 陈松涛,韩宏 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了用于通过在垂直磁隧道结(MTJ)中实施附加铁磁层来增强垂直磁隧道结的性能的技术。例如可以在垂直MTJ的固定铁磁层或自由铁磁层中或者附近实施附加铁磁层。在一些实施例中,借助非磁性间隔体实施附加铁磁层,其中,可以调整附加铁磁层和/或间隔体的厚度,以充分平衡垂直MTJ的平行状态和反平行状态之间的能垒。在一些实施例中,配置附加铁磁层以使得其磁化与固定铁磁层的磁化相反。 | ||
搜索关键词: | 平衡 垂直 隧道 中的 状态 之间 | ||
【主权项】:
一种垂直磁隧道结器件,包括:第一绝缘体层,所述第一绝缘体层夹置在自由铁磁层与固定铁磁层之间;以及第二绝缘体层,所述第二绝缘体层夹置在第三铁磁层与所述自由铁磁层或固定铁磁层的其中之一之间,其中,所述自由铁磁层、固定铁磁层和第三铁磁层中的每一个与磁化方向相关联,所述第三铁磁层的磁化方向与所述固定铁磁层的磁化方向相反。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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