[发明专利]平衡垂直磁隧道结中的状态之间的能垒有效

专利信息
申请号: 201180076063.X 申请日: 2011-12-30
公开(公告)号: CN104011862B 公开(公告)日: 2017-07-18
发明(设计)人: C·C·郭;B·S·多伊尔;A·雷什欧迪伊;R·戈利扎德莫亚拉德;K·奥乌兹 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L27/105 分类号: H01L27/105;H01L21/8239
代理公司: 永新专利商标代理有限公司72002 代理人: 陈松涛,韩宏
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了用于通过在垂直磁隧道结(MTJ)中实施附加铁磁层来增强垂直磁隧道结的性能的技术。例如可以在垂直MTJ的固定铁磁层或自由铁磁层中或者附近实施附加铁磁层。在一些实施例中,借助非磁性间隔体实施附加铁磁层,其中,可以调整附加铁磁层和/或间隔体的厚度,以充分平衡垂直MTJ的平行状态和反平行状态之间的能垒。在一些实施例中,配置附加铁磁层以使得其磁化与固定铁磁层的磁化相反。
搜索关键词: 平衡 垂直 隧道 中的 状态 之间
【主权项】:
一种垂直磁隧道结器件,包括:第一绝缘体层,所述第一绝缘体层夹置在自由铁磁层与固定铁磁层之间;以及第二绝缘体层,所述第二绝缘体层夹置在第三铁磁层与所述自由铁磁层或固定铁磁层的其中之一之间,其中,所述自由铁磁层、固定铁磁层和第三铁磁层中的每一个与磁化方向相关联,所述第三铁磁层的磁化方向与所述固定铁磁层的磁化方向相反。
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