[发明专利]具有Q1和Q4控制的双向开关有效
| 申请号： | 201180076227.9 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN104040723B | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | S·梅纳尔 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(图尔)公司 |
| 主分类号： | H01L29/747 | 分类号： | H01L29/747 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,张宁 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种参考后表面的控制类型的垂直双向开关，包括在其后表面上的第一主电极(A1)、在其前表面上的第二主电极(A2)以及栅极电极(G)。所述开关能够由栅极电极与第一电极之间的正电压控制。在所述开关中，栅极电极(G)被布置在穿过其中形成开关的芯片的过孔的前表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 q1 q4 控制 双向 开关 | ||
【主权项】：
一种垂直双向开关，包括：第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底具有前表面和后表面；在所述半导体衬底中并且在所述前表面和所述后表面之间的多个P‑N结，所述多个P‑N结限定反向并联耦合的第一可控硅和第二可控硅；在所述半导体衬底的前表面上的控制电极；在所述半导体衬底的后表面上的第一电极；在所述半导体衬底的前表面上的第二电极；半导体柱，直接耦合至所述控制电极并且在所述控制电极和所述第一电极之间延伸，并且耦合至所述多个P‑N结的至少一个P‑N结，所述半导体柱具有贯穿的相同导电类型；所述控制电极被配置成控制在所述第一电极和所述第二电极之间的电流；以及所述半导体衬底中并且围绕所述半导体柱的半导体壁，所述半导体壁是与所述第一导电类型不同的第二导电类型。
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