[发明专利]包括阻挡层的半导体电极有效
| 申请号： | 201180076361.9 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN104106118B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 阿拉温德·库马尔·钱迪兰;穆罕默德·哈贾·纳泽鲁丁;迈克尔·格雷泽尔 | 申请（专利权）人： | 洛桑联邦理工学院 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 胡秋玲;郑霞 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 本发明提供借助于使用原子层沉积(ALD)工艺被施用的层所钝化的多孔半导体电极。半导体电极可以被有利地用在具有增加的开路电流电压(Voc)的染料敏化太阳能电池(DSC)中。通过选择钝化层或阻挡层的厚度和材料，获得了高的Voc且短路电流(JSC)不会显著降低，由此得到展示优良的能量转换效率的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体电极 阻挡层 染料敏化太阳能电池 能量转换效率 多孔半导体 原子层沉积 短路电流 开路电流 钝化层 电极 钝化 施用 展示 | ||
【主权项】：
1.一种染料敏化太阳能电池，包括半导体电极、对电极、染料和在所述半导体电极和所述对电极之间的电荷传输介质，所述电荷传输介质包括包含单电子氧化还原对的电解质，其中所述半导体电极包括多孔半导体材料和被设置在所述多孔半导体材料上的用作阻挡层或绝缘层并且具有从0.2至0.8nm的总的厚度的金属氧化物层，其中所述金属氧化物层包括1至4个不同的金属氧化物层，所述不同的金属氧化物层每个具有不大于0.2nm的厚度并且通过原子层沉积被沉积，并且包括选自Ga氧化物的材料，并且其中所述染料被吸附在所述金属氧化物层上，并且其中所述单电子氧化还原对选自有机分子、金属络合物、和传输空穴的液体材料。
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