[发明专利]保形低温密闭性电介质扩散屏障

摘要

本发明提供了适用作3D外形上方的电介质扩散屏障的保形密闭性电介质膜。在实施例中，电介质扩散屏障包括可通过原子层沉积ALD技术来沉积的诸如金属氧化物之类的电介质层，对于较薄的连续密闭性扩散屏障而言，通过原子层沉积ALD技术沉积的电介质层的保形度和密度大于通过PECVD工艺沉积的传统的基于二氧化硅的膜中可实现的保形度和密度。在其它实施例中，扩散屏障是例如双层的包括高k电介质层和低k或中等k电介质层的多层膜，以减小扩散屏障的介电常数。在其它实施例中，通过在保持较高的膜保形度和密度的同时调节硅酸盐的硅含量来将高k电介质层中的硅酸盐(例如金属硅酸盐)形成为减小扩散屏障的k值。

主权项

一种微电子器件，所述微电子器件包括：设置在衬底上方的一对相邻的金属互连线，所述一对互连线分隔开一间隔；低k层间电介质(ILD)材料，所述低k层间电介质材料设置在所述金属互连线之间的所述间隔中；气隙，所述气隙设置在所述层间电介质(ILD)材料内；以及连续电介质扩散屏障，所述连续电介质扩散屏障是跨越所述间隔的多层膜叠置体，所述多层膜叠置体包括位于所述气隙与所述金属互连线中的至少一条金属互连线的侧壁上的所述低k层间电介质(ILD)材料的部分之间的第二材料层上的第一材料层，其中，所述第一材料层和所述第二材料层的其中之一包括金属物质和氧。