[发明专利]具有颈状半导体主体的半导体器件以及形成不同宽度的半导体主体的方法有效
| 申请号： | 201180076423.6 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN104137265B | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | B·塞尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 姜冰,郑冀之 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了具有颈状半导体主体的半导体器件以及形成不同宽度的半导体主体的方法。例如，半导体器件包括设置于衬底之上的半导体主体。栅极电极堆叠体设置于半导体主体的一部分之上，以限定半导体主体中的位于栅极电极堆叠体下方的沟道区。在栅极电极堆叠体的两侧上的半导体主体中限定了源极区和漏极区。侧壁间隔体设置于邻近栅极电极堆叠体处，并且设置于源极区和漏极区的仅一部分上。相较于半导体主体的沟道区的高度和宽度，源极区和漏极区的位于侧壁间隔体下方的部分具有更大的高度和宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 半导体 主体 半导体器件 以及 形成 不同 宽度 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体主体，其设置于衬底上方；栅极电极堆叠体，其设置于所述半导体主体的一部分之上，以限定所述半导体主体中的位于所述栅极电极堆叠体下方的沟道区、以及所述半导体主体中的位于所述栅极电极堆叠体的两侧上的源极区和漏极区，其中所述沟道区包括位于所述栅极电极堆叠体下方的缓变特征；以及侧壁间隔体，其设置于邻近所述栅极电极堆叠体处，并且设置于所述源极区和漏极区的仅一部分之上，其中相较于所述半导体主体的所述沟道区的高度和宽度，所述源极区和漏极区的位于所述侧壁间隔体下方的部分具有更大的高度和宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180076423.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光电变换装置及其制造方法、光电变换模块
- 下一篇：可堆叠微电子封装结构
- 同类专利
- 专利分类
