[发明专利]在三栅极（FINFET）工艺上集成多个栅极电介质晶体管的方法

摘要

描述了具有不同栅极结构并且形成于单个集成电路上的两种或更多类型的基于鳍状物的晶体管。至少通过(多个)栅极电介质层的厚度或成分或者栅极电极中的(多个)功函数金属层的成分来区分每种类型的晶体管的栅极结构。还提供了用于制造具有至少两种不同类型的基于鳍状物的晶体管的集成电路的方法，其中通过(多个)栅极电介质层的厚度和成分和/或栅极电极中的功函数金属的厚度和成分来区分所述晶体管类型。

主权项

一种半导体器件，包括：具有多个半导体鳍状物的衬底；第一晶体管，其具有环绕一个或多个所述半导体鳍状物的第一栅极结构，其中所述第一栅极结构包括与所述第一栅极结构所环绕的所述半导体鳍状物接触的第一栅极电介质结构以及包括第一功函数金属层的第一栅极电极结构，所述第一功函数金属层与所述第一栅极电介质结构接触，所述第一晶体管具有位于所述第一栅极结构的相对侧上的第一对n型掺杂的源极/漏极区；以及第二晶体管，其具有环绕一个或多个所述半导体鳍状物的第二栅极结构，其中所述第二栅极结构包括与所述第二栅极结构所环绕的所述半导体鳍状物接触的第二栅极电介质结构以及包括第二功函数金属层的第二栅极电极结构，所述第二功函数金属层与所述第二栅极电介质结构接触，所述第二晶体管具有位于所述第二栅极结构的相对侧上的第二对n型掺杂的源极/漏极区，其中所述第二栅极电介质结构在厚度或成分上与所述第一栅极电介质结构不同。