[发明专利]用于微光刻的掩模和扫描投射曝光方法有效
| 申请号： | 201180076463.0 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN104136998A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | M.帕特拉;M.德冈瑟 | 申请（专利权）人： | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种微光刻的掩模，包含：基板(SUB)；基板上的第一图案区域(PA1)，该第一图案区域包含第一图案(PAT1)，其在掩模扫描方向上延伸第一长度(L1)且在与掩模扫描方向垂直的方向上延伸第一宽度(W1)；以及基板上在掩模扫描方向上邻近第一图案区域的第二图案区域(PA2)，第二图案区域包含第二图案(PAT2)，其在掩模扫描方向上延伸第二长度(L2)且在与掩模扫描方向垂直的方向上延伸与第一宽度相同的第二宽度(W2)。第二长度(L2)比第一长度(L1)小，第二图案与第一图案的对应部分相同，其中该对应部分相对于第二图案在掩模扫描方向上偏移第一长度(L1)且具有与第二长度(L2)相同的长度(CPL)。在使用该类型掩模时，扫描曝光方法可具有提高的生产量。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 微光 扫描 投射 曝光 方法 | ||
【主权项】：
一种用于微光刻的掩模，包含：基板(SUB)；位于所述基板上的第一图案区域(PA1)，所述第一图案区域包含第一图案(PAT1)，所述第一图案在掩模扫描方向上延伸第一长度(L1)且在垂直于所述掩模扫描方向的方向上延伸第一宽度(W1)；位于所述基板上的第二图案区域(PA2)，所述第二图案区域在所述掩模扫描方向上邻近所述第一图案区域，所述第二图案区域包含第二图案(PAT2)，所述第二图案在所述掩模扫描方向上延伸第二长度(L2)且在垂直于所述掩模扫描方向的方向上延伸等于所述第一宽度的第二宽度(W2)，其中，所述第二长度(L2)小于所述第一长度(L1)，所述第二图案与所述第一图案的对应部分相同，其中，所述对应部分关于所述第二图案在所述掩模扫描方向上偏移所述第一长度(L1)，并具有等于所述第二长度(L2)的长度(CPL)。
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