[其他]一种源漏区有效
| 申请号： | 201190000053.3 | 申请日： | 2011-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN202585380U | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 100029 中*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种源漏区，包括：第一区，至少部分厚度的所述第一区位于衬底内；第二区，所述第二区形成于所述第一区上，所述第二区的材料与所述第一区的材料不同。一种源漏区的形成方法，包括：在衬底中位于栅堆叠结构两侧形成沟槽；形成第一半导体层，至少部分所述第一半导体层填充所述沟槽；在所述第一半导体层上形成第二半导体层，所述第二半导体层的材料与所述第一半导体层的材料不同。还提供了一种接触孔及其形成方法。可增加接触孔与接触区的接触面积，减小接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 源漏区 | ||
【主权项】：
源漏区，由半导体材料构成，所述源漏区位于栅堆叠结构两侧且嵌入衬底中，其特征在于，所述源漏区包括：第一区，至少部分厚度的所述第一区位于所述衬底内；第二区，所述第二区形成于所述第一区上，所述第二区的材料与所述第一区的材料不同，在形成于硅衬底的PMOS器件中，所述第一区材料为SiGe，停止层为Si，辅助层为SiGe。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
