[其他]一种半导体结构有效
| 申请号： | 201190000063.7 | 申请日： | 2011-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN202721108U | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体结构，包括，位于有源区上的至少两个相邻的栅堆叠或伪栅堆叠、源极侧侧墙以及漏极侧侧墙，其中：所述源极侧侧墙和漏极侧侧墙位于所述栅堆叠或伪栅堆叠的侧壁，其特征在于：对于每个所述栅堆叠或伪栅堆叠，所述源极侧侧墙的厚度小于所述漏极侧侧墙的厚度；在所述源极侧侧墙和漏极侧侧墙以及所述栅堆叠或伪栅堆叠暴露的有源区的上表面存在接触层，所述接触层为CoSi2、NiSi或者Ni(Pt)Si2-y中的一种或其组合，且所述接触层的厚度小于10nm。利于降低源极延伸区的接触电阻，同时还可以降低栅极和漏极延伸区之间的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，该半导体结构包括，位于有源区上的至少两个相邻的栅堆叠或伪栅堆叠、源极侧侧墙(240a)以及漏极侧侧墙(240b)，其中：所述源极侧侧墙(240a)和漏极侧侧墙(240b)位于所述栅堆叠或伪栅堆叠的侧壁，其特征在于：对于每个所述栅堆叠或伪栅堆叠，所述源极侧侧墙(240a)的厚度小于所述漏极侧侧墙(240b)的厚度；在所述源极侧侧墙(240a)和漏极侧侧墙(240b)以及所述栅堆叠或伪栅堆叠暴露的有源区的上表面存在接触层(112)，所述接触层(112)为CoSi2、NiSi或者Ni(Pt)Si2‑y中的一种或其组合，且所述接触层(112)的厚度小于10nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
