[其他]一种半导体结构有效
| 申请号： | 201190000066.0 | 申请日： | 2011-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN202651118U | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体结构。该半导体结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的半导体鳍片，在所述半导体衬底和所述半导体鳍片之间还包括刻蚀停止层，所述半导体鳍片的侧壁方向接近或位于硅的{111}晶面，并且所述半导体衬底为{112}Si衬底。所述半导体鳍片具有良好的表面质量和减少的晶体缺陷，可用于制造FinFET。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的半导体鳍片，所述半导体衬底和半导体鳍片之间包括刻蚀停止层，所述半导体鳍片的侧壁方向接近或位于硅的{111}晶面； 所述半导体衬底为{112}Si衬底。
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