[其他]混合块件和CVD系统有效
| 申请号： | 201190000531.0 | 申请日： | 2011-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN202996788U | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | D·李;W·王;W·N·斯特林;S·H·金;崔寿永;朴范洙;B·S·金;王群华 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/205;C23C16/448 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型的实施例大体上提供一混合块件，该混合块件用于混合多种前驱物及/或清洁剂，该混合块件的优点是维持温度以及改善前驱物、清洁剂或前述二者的混合物的混合效应，而消除基板间的差异，因而提供改善的工艺均匀性。此外，本实用新型还提供了一种CVD系统。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 cvd 系统 | ||
【主权项】：
一种混合块件，其特征在于，所述混合块件包含：主体，所述主体由单独块体的材料形成；一体成形混合结构，所述一体成形混合结构具有第一腔室与第二腔室，所述第一腔室与所述第二腔室被混合构件隔开，其中所述混合构件是所述主体的单一部件；两个前驱物递送通口，所述前驱物递送通口形成于所述主体中并且耦接所述第一腔室；公共出口通口，所述公共出口通口形成于所述主体中并且耦接所述第二腔室；以及至少一个通路，所述通路形成于所述主体中以使温度控制流体得以流过所述主体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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