[其他]ESD保护装置有效

专利信息
申请号: 201190000535.9 申请日: 2011-05-25
公开(公告)号: CN203242609U 公开(公告)日: 2013-10-16
发明(设计)人: 加藤登;佐佐木纯;山田浩辅;石野聪 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01L21/822 分类号: H01L21/822;H01L21/60;H01L23/12;H01L27/04
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 邓超
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 实用新型的ESD保护装置(101)包括具有输入输出电极(21A、21B)的半导体基板(20)和在其表面上形成的再配线层(30)。在半导体基板(20)的表层形成有ESD保护电路,输入输出电极(21A、21B)与该ESD保护电路连接。再配线层(30)包括层间配线(24A、24B、面内配线(25A、25B)和柱电极(27A、27B)。厚度方向上设置的层间配线(24A、24B)的一端与半导体基板(20)的表面上设置的输入输出电极(21A、21B)连接,其另一端与平面方向上布置的面内配线(25A、25B)的一端连接。面内配线(25A、25B)的另一端与端子电极(28A、28B)之间形成有棱柱状的柱电极(27A、27B)。
搜索关键词: esd 保护装置
【主权项】:
一种ESD保护装置, 具有:形成有包括二极管的ESD保护电路和与所述ESD保护电路导通的输入输出电极的半导体基板;以及 包括分别与所述输入输出电极和端子电极导通的柱状的柱电极的再配线层, 如果用R表示从所述柱电极的中心轴到侧面的辐射方向的距离、用θ表示所述辐射方向的方位角,则具有同一高度上的dR/dθ为非0的θ的范围。
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