[其他]ESD保护装置有效
申请号: | 201190000535.9 | 申请日: | 2011-05-25 |
公开(公告)号: | CN203242609U | 公开(公告)日: | 2013-10-16 |
发明(设计)人: | 加藤登;佐佐木纯;山田浩辅;石野聪 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01L21/60;H01L23/12;H01L27/04 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 邓超 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本实用新型的ESD保护装置(101)包括具有输入输出电极(21A、21B)的半导体基板(20)和在其表面上形成的再配线层(30)。在半导体基板(20)的表层形成有ESD保护电路,输入输出电极(21A、21B)与该ESD保护电路连接。再配线层(30)包括层间配线(24A、24B、面内配线(25A、25B)和柱电极(27A、27B)。厚度方向上设置的层间配线(24A、24B)的一端与半导体基板(20)的表面上设置的输入输出电极(21A、21B)连接,其另一端与平面方向上布置的面内配线(25A、25B)的一端连接。面内配线(25A、25B)的另一端与端子电极(28A、28B)之间形成有棱柱状的柱电极(27A、27B)。 | ||
搜索关键词: | esd 保护装置 | ||
【主权项】:
一种ESD保护装置, 具有:形成有包括二极管的ESD保护电路和与所述ESD保护电路导通的输入输出电极的半导体基板;以及 包括分别与所述输入输出电极和端子电极导通的柱状的柱电极的再配线层, 如果用R表示从所述柱电极的中心轴到侧面的辐射方向的距离、用θ表示所述辐射方向的方位角,则具有同一高度上的dR/dθ为非0的θ的范围。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造