[其他]ESD保护器件有效
| 申请号： | 201190000602.7 | 申请日： | 2011-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN203536403U | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 加藤登;佐佐木纯;山田浩辅 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/3205;H01L23/12;H01L23/52;H01L27/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种ESD保护器件(101)，包括：具有输入输出电极(21A、21B)等的半导体基板(20)和形成在其表面上的再布线层(30)。在半导体基板(20)的表层形成有ESD保护电路，输入输出电极(21A，21B)与该ESD保护电路连接。再布线层(30)包括层间布线(24A、24B)、面内布线(25A、25B)及柱电极(27A、27B)。设置在厚度方向上的层间布线(24A、24B)的一端与设置在半导体基板(20)表面上的输入输出电极(21A、21B)连接，另一端与在平面方向上走线的面内布线(25A、25B)的一端连接。而且，第一及第二柱电极(27A，27B)的中心间距离(A)大于第一及第二输入输出电极(21A，21B)的中心间距离(B)。 | ||
| 搜索关键词： | esd 保护 器件 | ||
【主权项】：
一种ESD保护器件，其特征在于， 包括：半导体基板，该半导体基板上形成有包括二极管的ESD保护电路、和与所述ESD保护电路导通的第一及第二输入输出电极；以及 再布线层，该再布线层包括与所述第一输入输出电极和第一端子电极导通的柱状的第一柱电极、和与所述第二输入输出电极和第二端子电极导通的柱状的第二柱电极， 所述第一及第二柱电极的中心间距离大于所述第一及第二输入输出电极的中心间距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
