[其他]一种等离子体约束环组件及其上部环、吊架组件、下部环和中部环有效
申请号: | 201190000763.6 | 申请日: | 2011-08-25 |
公开(公告)号: | CN203588977U | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 安东尼·德拉列拉;大卫·卡曼;特拉维斯·R·泰勒;沙鲁巴·J·乌拉尔;哈梅特·辛格 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本申请涉及一种等离子体约束环组件及其上部环、吊架组件、下部环和中部环,其中一种具有单个能移动的下部环的等离子体约束环组件,其可用于控制电容耦合等离子体反应室中的晶片区域压强,晶片被支承在下电极组件上且处理气体通过上部喷头电极组件被引入所述室。该组件包括上部环、下部环、吊架、吊架帽、间隔套筒和垫片。当在上电极和下电极之间的间隙调节过程中所述垫片与所述下电极组件进行接触时,所述下部环由所述吊架支撑并朝着所述上部环能移动。所述吊架帽啮合所述吊架的上端并配合入所述上部环中的吊架孔的上部。间隔套筒围绕所述吊架的下部并配合入所述吊架孔的下部。垫片配合在所述吊架的扩大的头部和所述下部环的下表面之间。间隔套筒的尺寸设为在抬高所述下部环的过程中避免摩擦所述吊架孔的所述内表面。 | ||
搜索关键词: | 一种 等离子体 约束 组件 及其 上部 吊架 下部 中部 | ||
【主权项】:
一种用于控制电容耦合等离子体反应室中晶片区域压强的等离子体约束环组件,其中,晶片被支承在下电极组件上且处理气体通过上部喷头电极组件被引入所述室,所述等离子体约束环组件包括: 上部环,其具有:上壁;下壁;外壁;内壁;穿过所述上壁和所述下壁的在圆周方向延伸的成系列的槽;在所述上壁中的多个扭转锁孔,该扭转锁孔适于与所述等离子体反应室的顶壁中安装的能垂直移动的柱塞啮合,以使得通过将所述柱塞的自由端插入所述扭转锁孔并旋转所述上部环以锁定所述柱塞在所述扭转锁孔的窄端来由所述柱塞支撑所述上部环;在所述上壁和下壁之间延伸的多个吊架孔,所述吊架孔包括由较小的中部连接的较大的上部和下部; 多个吊架帽,其位于所述吊架孔的所述上部中,每个吊架帽包括在其下壁中的级形孔和压配合入所述级形孔的小直径的上部的螺旋弹簧; 多个吊架,其位于所述吊架孔的下部中,每个吊架的上端配合入所述吊架帽中的一个,使得所述螺旋弹簧被压缩,所述吊架相对于所述吊架帽能垂直移动并相对于锁定位置能旋转,所述吊架中的每一个包括适于在所述吊架帽中旋转以啮合在所述吊架帽中的底座的至少一个凸起,每个吊架包括具有扩大的下端的下部;以及 下部环,其具有上壁、下壁、外壁、内壁和延伸穿过该上壁和该下壁的多个通孔,所述吊架中的每一个具有其容纳在所述通孔中的一个中的下部,所述下部环具有与所述上部环的内径和外径相等的内径和外径以及约0.090至0.1英寸的均匀的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造