[其他]双波段焦平面阵列有效
申请号: | 201190001034.2 | 申请日: | 2011-12-14 |
公开(公告)号: | CN203932063U | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | R·E·玻恩弗洛恩德 | 申请(专利权)人: | 菲力尔系统公司 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;G01J3/10;H01L27/146;G01J3/36 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张春媛;阎娬斌 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在一种实施方式中,双波段焦平面阵列包括读出集成电路,多个光电聚合物像素(218a,218b),用于吸收可见光和/或短波红外辐射,每个光电聚合物像素电耦接至读出集成电路,以及多个微辐射热测定仪(302),用于检测长波红外辐射,每个微辐射热测定仪经由布置在相邻微辐射热测定仪之间的和相邻光电聚合物像素之间的接触腿(224a,224b,224c)电耦接至读出集成电路。 | ||
搜索关键词: | 波段 平面 阵列 | ||
【主权项】:
一种双波段焦平面阵列,其特征在于,包括: 读出集成电路; 多个光电聚合物像素,用于吸收可见光和/或短波红外辐射,每个光电聚合物像素电耦接至读出集成电路;及 多个微辐射热测定仪,用于检测长波红外辐射,每个微辐射热测定仪经由接触腿电耦接至读出集成电路,该接触腿布置在相邻微辐射热测定仪之间和相邻光电聚合物像素之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的