[发明专利]超疏水表面的制备方法无效
| 申请号： | 201210000233.2 | 申请日： | 2012-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN102553812A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 秦勇;吴巍炜;成立;袁苗苗;邱家稳 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | B05D5/08 | 分类号： | B05D5/08;B29C59/14;C08J7/06;C23C14/08;C23C14/34;C30B29/16;C30B29/62;C30B7/00 |
| 代理公司： | 兰州振华专利代理有限责任公司 62102 | 代理人： | 张晋 |
| 地址： | 730000 *** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开一种在任意高分子材料表面，特别是在高分子薄膜材料表面制备超疏水表面的方法。本发明的方法是：首先在任意高分子基片表面采用刻蚀的方法制备出与基片材料为同一材料的柱状阵列的一级结构，再在柱状阵列的一级结构的表面沉积氧化锌种子层，随后将基片放入可生长氧化锌纳米线阵列的生长液中，使一级结构的表面生长出氧化锌纳米线阵列的二级结构，再将制备了一级和二级结构的高分子基片浸入溶有疏水物质的溶液，使高分子基片上的一级和二级结构的表面完全附着疏水物质物质后，将高分子基片取出，晾干，得到所需要的超疏水表面。 | ||
| 搜索关键词： | 疏水 表面 制备 方法 | ||
【主权项】：
超疏水表面的制备方法，其特征在于首先在任意高分子基片表面采用刻蚀的方法制备出与基片材料为同一材料的柱状阵列的一级结构，再在柱状阵列的一级结构的表面沉积氧化锌种子层，随后将基片放入可生长氧化锌纳米线阵列的生长液中，使一级结构的表面生长出氧化锌纳米线阵列的二级结构，再将制备了一级和二级结构的高分子基片浸入溶有疏水物质的溶液，使高分子基片上的一级和二级结构的表面完全附着疏水物质物质后，将高分子基片取出，晾干，得到所需要的超疏水表面。
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