[发明专利]一种提高快凝Ni-Mn基磁制冷合金薄带材料性能的方法无效
申请号: | 201210000281.1 | 申请日: | 2012-01-04 |
公开(公告)号: | CN102443749A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 王戊;薛嗣创;吴殿震;翟启杰;郑红星 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | C22F1/10 | 分类号: | C22F1/10;C22F3/00 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顾勇华 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种提高快凝Ni-Mn基磁制冷薄带材料性能的方法,属于磁制冷材料领域。本发明方法通过热分析技术确定材料有序化转变温度,在有序化转变温度以上30~50K某一温度,对材料实施复合脉冲磁场的热处理,加热最高温度为1173K,脉冲宽度26ms,作用频率0.3~1Hz,磁感应强度B为0.5T~1.5T。相对于常规热处理,本发明方法操作简单,热处理温度较低同时可以有效的提高快凝Ni-Mn基磁制冷薄带材料的磁热性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 ni mn 制冷 合金 材料 性能 方法 | ||
【主权项】:
1.一种提高快凝Ni‑Mn基磁制冷合金薄带材料性能的方法,其特征在于具有以下的过程和步骤:(a)、通过热分析确定合金薄带的热处理温度;通过热分析技术测定合金薄带有序化转变温度,从而确定热处理温度为其有序化温度以上30~50K某一温度;(b)、对Ni‑Mn基合金薄带进行复合脉冲磁场的热处理;热处理在保护气氛下进行;其加热最高温度为1173K;所使用的脉冲磁场电源参数为:输出电压U=1500~2200V,脉冲宽度26ms,作用频率为0.3~1Hz,脉冲磁场的磁感应强度B为0.5T~1.5T。
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