[发明专利]基于二氧化钛/钛酸锶异质结的紫外光探测器及制备方法无效
| 申请号： | 201210001003.8 | 申请日： | 2012-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN102509743A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 阮圣平;张敏;刘彩霞;张海峰;沈亮;周敬然;董玮;郭文滨;张歆东;徐鹏;陈维友 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 张景林;刘喜生 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明具体涉及一种以超薄硅片为衬底，以纳米TiO2/SrTiO3异质结有源层为基体材料，以Au为金属插指电极的高性能半导体紫外光电探测器及其制备方法。首先采用溶胶凝胶技术制备TiO2及SrTiO3溶胶，并在超薄硅衬底上依次生长成致密的纳米SrTiO3薄膜及TiO2薄膜；然后通过磁控溅射和标准的光刻、剥离技术在薄膜表面制成一定形状的Au插指电极。本发明制备的TiO2/SrTiO3异质结金属-半导体-金属紫外光探测器具有制备方法简单，成本低廉，有望大规模生产的特点，对波长250nm-350nm的紫外线具有良好的检测性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化 钛酸锶异质结 紫外光 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于TiO2/SrTiO3异质结有源层的金属‑半导体‑金属结构光伏型紫外光探测器，其特征在于：从下到上依次包括超薄硅片衬底(5)、采用溶胶凝胶法在硅片衬底(5)上生长的纳米SrTiO3薄膜(4)与纳米TiO2薄膜(3)构成的TiO2/SrTiO3异质结有源层、在TiO2/SrTiO3异质结有源层上用磁控溅射法制备的Au插指电极(2)，待探测的紫外光(1)从金属插指电极(2)的上方入射。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林大学，未经吉林大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210001003.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种无极斜楔调整机构
- 下一篇：二氢吲哚衍生物
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
