[发明专利]微弧氧化钛种植体上载头孢唑啉钠药物膜的方法无效
| 申请号： | 201210002144.1 | 申请日： | 2012-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102526800A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 魏大庆;成夙;周玉 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | A61L27/28 | 分类号： | A61L27/28;A61L27/54;C25D11/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 微弧氧化钛种植体上载头孢唑啉钠药物膜的方法，涉及一种在作为骨替代物的医用钛金属改性涂层上涂覆抗生素药物膜的方法。经过本发明微弧氧化处理的钛种植体生物活性大幅度提高，抗生素可避免种植体植入体内引起创口感染，并可提高创口的愈合能力。本发明包括如下步骤：将钛种植体置于含有碱性电解液的不锈钢槽体中，采用双极脉冲电源，通过对微弧氧化电参数的控制，靠钛表面的击穿放电使钛表面形成一层的微弧氧化涂层；将微弧氧化后的钛基体浸入头孢唑啉钠水溶液中浸泡；取出浸泡头孢唑啉钠后的微弧氧化钛基体，放入烘干箱中烘干，获得上载头孢唑啉钠药物膜的微弧氧化钛种植体。本发明可预防钛种植体植入体中引起的创口感染，可加速创口愈合。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 种植 上载 头孢 唑啉钠 药物 方法 | ||
【主权项】：
微弧氧化钛种植体上载头孢唑啉钠药物膜的方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：步骤一：做微弧氧化，将钛种植体置于含有碱性电解液的不锈钢槽体中，采用双极脉冲电源，通过对微弧氧化电参数的控制，靠钛表面的击穿放电使钛表面形成一层的微弧氧化涂层，其中微弧氧化的脉冲电压为200～500V、频率为400～800Hz、占空比为4～20%，溶液温度为0～50℃，氧化时间为5～30min；步骤二：将微弧氧化后的钛基体浸入头孢唑啉钠水溶液中浸泡；步骤三：取出浸泡头孢唑啉钠后的微弧氧化钛基体，放入烘干箱中烘干，获得上载头孢唑啉钠药物膜的微弧氧化钛种植体。
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