[发明专利]一种表面等离子共振整流天线及其制备方法有效
申请号: | 201210002179.5 | 申请日: | 2012-01-05 |
公开(公告)号: | CN102544182A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 陈福义;刘建 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | H01L31/07 | 分类号: | H01L31/07;H01L31/0224;H01L31/18;C25D11/26;C25D3/38 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 慕安荣 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 一种表面等离子共振整流天线及其制备方法。所述的表面等离子共振整流天线为三层结构,下层为金属Ti,在金属Ti的一个表面氧化生成TiO2纳米管阵列层。在所述TiO2纳米管阵列层的表面通过光沉积有Cu纳米颗粒金属层。所述的Cu纳米颗粒金属层的微观表面形貌为纳米颗粒。本发明使用光沉积代替超高真空电子束蒸发技术,使用廉价金属铜Cu代替贵金属Au制备了Ti/TiO2NT/Cu结构的整流天线,解决了目前金属层沉积技术成本、设备投入成本及贵金属价格成本高,不能用于大规模工业化生产难题,有利于太阳能技术的绿色低成本发展。 | ||
搜索关键词: | 一种 表面 等离子 共振 整流 天线 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种表面等离子共振整流天线,所述的表面等离子共振整流天线为三层结构,下层为金属Ti,在金属Ti的一个表面氧化生成TiO2纳米管阵列层;其特征在于,在所述TiO2纳米管阵列层的表面沉积有Cu纳米颗粒金属层;所述的Cu纳米颗粒金属层的微观表面形貌为纳米颗粒,其颗粒大小为50~80nm,无特定形态,附着在TiO2纳米管基体表面的管壁上,少量沉积物进入到管内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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