[发明专利]一种制备氧化铝基共晶陶瓷的方法有效
申请号: | 201210002466.6 | 申请日: | 2012-01-05 |
公开(公告)号: | CN102531553A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 苏海军;张军;于建政;郭伟;马菱薇;张冰;于瑞龙;刘林;傅恒志 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | C04B35/10 | 分类号: | C04B35/10;C04B35/622 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 慕安荣 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种制备氧化铝基共晶陶瓷的方法,以激光快速成形表面气氛加热炉作为保温装置,通过对保温炉对保温温度的调节,影响激光区熔制备氧化物共晶陶瓷的工艺参数。当高能量激光辐照到成形材料上表面时,下表面在加热炉的作用下同时升高到较高温度,上下表面温差大幅减小,从而保证基材不会激热开裂,同时又可以保证熔体在冷却的过程中不会因激冷产生裂纹和缺陷,极大的提高了材料成形的质量和性能,并使得激光快速成形技术制备脆性材料成为可能,根据不同材料,可通过调整保温温度,实现不同的冷却速率和温度梯度。本发明有效降低了成形材料与周围环境的温差和材料内部的热应力,提高了材料成形的质量和性能,并使得激光快速成形技术制备脆性材料成为可能。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 氧化铝 基共晶 陶瓷 方法 | ||
【主权项】:
一种制备氧化铝基共晶陶瓷的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,烧结预制体的制备;步骤2,表面气氛加热炉加热烧结预制体;将得到的部分烧结预制体并排紧密铺放在表面气氛加热炉的加热板上;向表面气氛加热炉内通入保护气体N2气;N2气流量100~150ml/min;对加热板加热,进而通过加热板对烧结预制体加热至1200℃;加热中,600℃以下以导通比为20%的速度加热,600℃以上以导通比为40%的速度加热;加热中持续保温,使试样温度与加热板温度一致;加热中持续通入N2气;得到加热后的共晶陶瓷基底;步骤3,成形共晶陶瓷;采用激光区熔方法成形共晶陶瓷的过程,其具体过程是:使激光器位于铺放在表面气氛加热炉加热板上的烧结预制体的起点处,启动激光器,将激光打入表面气氛加热炉内,对加热后的烧结预制体进行水平逐行扫描;当激光器完成第一行扫描后,沿铺放在加热板上的烧结预制体表面宽度平移,进行第二行的水平扫描,得到在烧结预制体表面形成的第二道共晶陶瓷;以此类推,激光器逐渐向烧结预制体的宽度方向推进,直至整个烧结预制体表面形成第一层共晶陶瓷;当第一层共晶陶瓷的成形完成后,将剩余的部分烧结预制体并排紧密铺放在第一层共晶陶瓷的表面;激光器回到起点,按成形第一层共晶陶瓷的方法,在得到的第一层共晶陶瓷表面继续成形第二层共晶陶瓷;当第二层共晶陶瓷的成形完成后,继续将剩余的烧结预制体并排紧密铺放在第二层共晶陶瓷的表面;激光器回到起点,按成形第一层共晶陶瓷的方法,在得到的第二层共晶陶瓷表面继续成形第三层共晶陶瓷;重复上述激光区熔成形共晶陶瓷的过程,得到所需的共晶陶瓷;成形共晶陶瓷中,激光功率为200~600W,激光扫描速度0.2~6mm/min,激光光斑直径为8~12mm,激光器沿共晶陶瓷基底宽度平移后相邻两行中心线的间距为7~10mm;在激光区熔过程中,表面气氛加热炉对试样持续加热,使试样的温度保持在1200℃,并通入N2气;步骤4,共晶体陶瓷冷却,当得到所需体积的共晶陶瓷后,关闭激光;表面气氛加热炉以10~20℃/min的降温速度冷却至800℃后,得到的共晶陶瓷随炉冷却至室温,获得共晶自生复合陶瓷体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北工业大学,未经西北工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210002466.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。